内存时序对照表(内存时序详细设置)

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内存时序对照表描述了特定内存模块的延迟和时序设置。 它指定了内存芯片执行不同操作所需的时间，以纳秒 (ns) 为单位测量。
核心要素：
- CL (CAS Latency)：从读取命令发出到数据的第一个位可用于读取所需的时间。
- tRCD (RAS to CAS Delay)：从激活 RAS (行地址选通) 到发出 CAS (列地址选通) 所需的时间。
- tRP (RAS Precharge Time)：从预充电 RAS 到发出 CAS 所需的时间。
- tRAS (RAS Active Time)：内存行保持激活状态的时间。
- tRFC (Refresh Cycle Time)：刷新所有内存行的周期时间。
- tWR (Write Recovery Time)：从写入命令发出到可以执行新写入操作所需的时间。